一种高电流立体型纳米空气沟道电子管及电子器件
公开
摘要
本发明公开了一种高电流立体型纳米空气沟道电子管，包括：半导体基底；位于半导体基底一侧表面的功能层；半导体基底与功能层之间存在二维电子气；位于功能层背向半导体基底一侧表面的顶电极；多个沿垂直方向从顶电极延伸至半导体基底的纳米空气沟道；多个纳米空气沟道形成纳米空气沟道阵列。通过设置多个垂直方向的纳米空气沟道形成纳米空气沟道阵列，可以有效增大二维电子气的有效发射面积，提高发射电流至毫安量级。通过新型纳米空气沟道阵列和电极结构与材料的设计，可以实现低电压大电流工作，同时大幅提高该类器件的截止频率至太赫兹量级。本发明还提供了一种电子器件，同样具有上述有益效果。
基本信息
专利标题 ：
一种高电流立体型纳米空气沟道电子管及电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613841A
申请号 ：
CN202210247269.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李男男罗毅
申请人 ：
中国工程物理研究院电子工程研究所
申请人地址 ：
四川省绵阳市游仙区绵山路64号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张艺
优先权 ：
CN202210247269.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/739 H01L21/331 H01L29/778 H01L21/335 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
