一种垂直碳纳米管阵列
授权
摘要
本实用新型涉及一种垂直碳纳米管阵列，包括由下至上依次设置的基体层、缓冲层和催化剂层，所述基体层为硅层，所述缓冲层为Al2O3膜层，所述催化剂层为铁膜层、钴膜层或镍膜层；所述基体层的厚度为725±5μm，所述缓冲层的厚度为16.72±5nm，所述催化剂层的厚度为2.62±5nm。本实用新型的垂直碳纳米管阵列，通过层级以及层级厚度的设计，其缓冲层和催化剂层的薄膜厚度达到了纳米级，使得设计数十微米的VACNTs即可达到理想的超黑高吸收效果。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直碳纳米管阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020882465.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN212559473U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
康品春冯国进柴忻章俞之蒋淑恋郑鹏阮育娇周萍崔潼黄艺滨
申请人 ：
厦门市计量检定测试院
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区湖滨南路170号四楼
代理机构 ：
深圳市博锐专利事务所
代理人 ：
汤星星
优先权 ：
CN202020882465.5
主分类号 ：
C01B32/162
IPC分类号 ：
C01B32/162 C23C14/08 C23C14/18 C23C14/35 C23C16/26 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/158
碳纳米管
C01B32/16
制备
C01B32/162
以催化剂为特征
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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