有机光电三极管

专利权的终止

摘要

有机光电三极管，近年来，有机薄膜三极管、有机发光二极管，以及有机二极管的研究，已从有机小分子半导体材料扩展到导电共扼高聚物，并把焦点集中在器件的物理机构和改善器件的性能以达到实用化水平上。本实用新型的目的是提供一种具有极高的电流增益，使光电流放大β倍，与有机光电二极管相比，具有极高光电信号转换能力，输出的光电流信号容易处理的光电三极管，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极1，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极3和漏极4采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜。本产品用于光电传感器件。

基本信息

专利标题：

有机光电三极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620022192.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-12-12

授权号：

CN201107811Y

授权日：

2008-08-27

发明人：

赵洪王东兴殷景华王喧桂太龙宋明歆

申请人：

哈尔滨理工大学

申请人地址：

150080黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

代理机构：

哈尔滨东方专利事务所

代理人：

陈晓光

优先权：

CN200620022192.7

主分类号：

H01L51/42

IPC分类号：

H01L51/42