有机薄膜三极管传感器
专利权的终止
摘要
有机薄膜三极管传感器，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引的很多研究者的关注。本实用新型是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极(基极)1，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜2，两者之间形成肖特基壁垒，源极(集电极)3和漏极(发射极)4采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。整体附着在玻璃5基板上。本产品用作接收光线的传感器。
基本信息
专利标题 ：
有机薄膜三极管传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620022191.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-12-12
授权号 ：
CN200989893Y
授权日 ：
2007-12-12
发明人 ：
赵洪王东兴殷景华王喧桂太龙宋明歆
申请人 ：
哈尔滨理工大学
申请人地址 ：
150080黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
代理机构 ：
哈尔滨东方专利事务所
代理人 ：
陈晓光
优先权 ：
CN200620022191.2
主分类号 ：
G01N27/414
IPC分类号 ：
G01N27/414 H01L51/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量；用电解或电泳法
G01N27/403
电池和电极组件
G01N27/414
对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS
法律状态
2011-02-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101038294278
IPC(主分类) : G01N 27/414
专利号 : ZL2006200221912
申请日 : 20061212
授权公告日 : 20071212
终止日期 : 20100112
号牌文件序号 : 101038294278
IPC(主分类) : G01N 27/414
专利号 : ZL2006200221912
申请日 : 20061212
授权公告日 : 20071212
终止日期 : 20100112
2007-12-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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