亚微米厚度有机半导体薄膜三极管
专利权的终止
摘要

亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜发光三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本实用新型组成包括:玻璃基板1,玻璃基板上具有金2、酞菁铜3、铝4、酞菁铜5、金6的层状结构复合层。铝膜的厚度为20±10nm,酞菁铜的厚度上层为70±5nm,下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器,随着高性能新型有机半导体材料的开发,本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管,可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元,电子标签,有机集成电路芯片等更广泛的领域。

基本信息
专利标题 :
亚微米厚度有机半导体薄膜三极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620022194.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-12-12
授权号 :
CN201100919Y
授权日 :
2008-08-13
发明人 :
赵洪王东兴殷景华王喧桂太龙宋明歆
申请人 :
哈尔滨理工大学
申请人地址 :
150080黑龙江省哈尔滨市学府路52号理工大学应科院电科系
代理机构 :
哈尔滨东方专利事务所
代理人 :
陈晓光
优先权 :
CN200620022194.6
主分类号 :
H01L51/05
IPC分类号 :
H01L51/05  
法律状态
2011-02-23 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101038290454
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利号 : ZL2006200221946
申请日 : 20061212
授权公告日 : 20080813
终止日期 : 20100112
2008-08-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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