一种半导体导电薄膜厚度在线测试结构及其测试方法
授权
摘要
本发明公开了一种半导体导电薄膜厚度在线测试结构,包括四探针电阻测试桥结构以及连续阶梯结构,该结构利用多个台阶平均了台阶制造过程中的随机误差,利用多个台阶增加了电阻变化的数值,便于测量。本发明还公开了一种半导体导电薄膜厚度在线测试方法,该方法简单,测试设备要求低,测试过程及测试参数值稳定,加工过程与微机电器件同步,没有特殊加工要求,完全符合在线测试的要求,计算方法仅限于简单数学公式。
基本信息
专利标题 :
一种半导体导电薄膜厚度在线测试结构及其测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113267118A
申请号 :
CN202110695599.5
公开(公告)日 :
2021-08-17
申请日 :
2021-06-23
授权号 :
CN113267118B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
周再发宋玉洁黄庆安
申请人 :
东南大学
申请人地址 :
江苏省南京市江宁区东南大学路2号
代理机构 :
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
吴旭
优先权 :
CN202110695599.5
主分类号 :
G01B7/06
IPC分类号 :
G01B7/06 G01R27/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量;角度的计量;面积的计量;不规则的表面或轮廓的计量
G01B7/00
以采用电或磁的方法为特征的计量设备
G01B7/02
用于计量长度、宽度或厚度
G01B7/06
用于计量厚度
法律状态
2022-05-17 :
授权
2021-09-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01B 7/06
申请日 : 20210623
申请日 : 20210623
2021-08-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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