薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备

授权

摘要

本公开提供一种薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备，涉及半导体技术领域。所述薄膜包括图案化膜层和位于所述图案化膜层表面的待测膜层，所述测试方法包括：收集第一光谱，以得到所述图案化膜层的参数；调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数，并锁定所述图案化膜层的参数，以形成目标薄膜；检测所述目标薄膜的光谱，得到第二光谱；根据所述第二光谱确定所述待测膜层的厚度。本公开的测试方法可提高薄膜厚度的测试精度。

基本信息

专利标题：

薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112833801A

申请号：

CN202110162038.9

公开（公告）日：

2021-05-25

申请日：

2021-02-05

授权号：

CN112833801B

授权日：

2022-04-05

发明人：

邓鹏飞陆朋朋

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

王辉

优先权：

CN202110162038.9

主分类号：

G01B11/06

IPC分类号：

G01B11/06