一种在基板上形成选择性发射极的制造装置
授权
摘要
本发明提供一种在基板上形成选择性发射极的制造装置，包括：激光发射部、光转换部、偏光镜、光束扩大部、控制器、箱体和架体。激光发射部发射激光束；光转换部将激光束转换成相应的偏光；偏光镜允许未经偏光的激光束和经过偏光的激光束中的一种透射通过；光束扩大部将经由偏光镜透射的激光束扩大至设定倍数；熔融激光发出器接受扩大后的激光束并发射出熔融激光束至基板上设定位置；控制器与光转换部电性连接；其中上述各元器件的底座均安装在所述架体上，控制器控制光转换部开启或关闭，以使熔融激光束在到达预设选择性发射极以外区域时关闭，在到达预设选择性发射极区域时开启。本发明制造装置，不需要掩膜即可形成选择性发射极。
基本信息
专利标题 ：
一种在基板上形成选择性发射极的制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021461158.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN212485350U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
凌步军朱鹏程袁明峰吕金鹏赵有伟滕宇孙月飞冷志斌冯高俊
申请人 ：
江苏亚威艾欧斯激光科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区12幢401-73
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
苗晓娟
优先权 ：
CN202021461158.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 B23K26/064
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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