一种硼掺杂选择性发射极的制备方法及应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极的制备方法及应用，所述硼掺杂选择性发射极的制备方法包括在制绒后的硅片表面沉积BSG层，接着在BSG层表面局部覆盖掩膜层，使掩膜层的覆盖区域与硅片表面的金属电极印刷区域一致，然后对硅片进行高温推进，最后将硅片上的BSG层和掩膜层去除。本发明的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其在沉积BSG层后只需局部覆盖掩膜层，能在不去除BSG层的条件下高温推进即可制备SE结构。
基本信息
专利标题 ：
一种硼掺杂选择性发射极的制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497242A
申请号 ：
CN202210000228.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹育红符黎明
申请人 ：
常州时创能源股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210000228.5
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/18
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0224
申请日 : 20220101
申请日 : 20220101
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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