一种具有选择性发射极结构的钝化接触电池的制备方法
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摘要
本发明涉及一种具有选择性发射极结构的钝化接触电池的制备方法，包括：在制绒后的N型硅片正面印刷硼掺杂浆料，并在氮气和/或氧气氛围中，温度为100‑200℃，烘干5‑15min，以固化硅片上的硼掺杂浆料，并去除硼掺杂浆料中的有机成分；硼掺杂浆料的印刷区域与金属化区域对应，且硼掺杂浆料的印刷区域的宽度大于金属化区域的宽度；在炉管中对硅片正面印刷的硼掺杂浆料进行高温推进，以在硅片正面制备具有选择性结构的发射极；在硅片进入炉管的过程中，向炉管内通入氮氧混合气体，并控制作业温度低于800℃，以去除硼掺杂浆料中的有机成分；硅片的后处理。本发明的硼掺杂选择性发射极制备方法可以显著降低发射极表面的复合电流，并将电池效率提升0.2％以上。
基本信息
专利标题 ：
一种具有选择性发射极结构的钝化接触电池的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111952409A
申请号 ：
CN202010609874.2
公开（公告）日 ：
2020-11-17
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN111952409B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
陆俊宇李灵芝刘荣林乔振聪陈嘉林建伟
申请人 ：
泰州中来光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路6号
代理机构 ：
北京金之桥知识产权代理有限公司
代理人 ：
李托弟
优先权 ：
CN202010609874.2
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/228
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-12-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20200630
申请日 : 20200630
2020-11-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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