一种具有发射极钝化接触的P型高效电池结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有发射极钝化接触的P型高效电池结构，包括P型硅，所述P型硅上方依次沉积有二氧化硅层和正膜氮化硅层，所述背面氮化硅层远离氧化铝层一侧设置有背电极，所述背电极依次穿过背面氮化硅层和氧化铝层、并与P型硅欧姆接触，位于所述二氧化硅层上方的正面氮化硅层中设置有掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层上方对应设置有与其欧姆接触的正电极。本实用新型的钝化接触结构仅在栅线位置下方，在栅线外不影响表面的PN结和光吸收，在栅线下方实现具有选择性钝化接触的结构，避免了栅线与硅基体的直接接触，可以大大降低硅基体的表面复合，提高了电池的Voc，进而增加了电池的转化效率。
基本信息
专利标题 ：
一种具有发射极钝化接触的P型高效电池结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921775177.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN210379062U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
张鹏尹丙伟杨蕾余波王岚
申请人 ：
通威太阳能（安徽）有限公司;通威太阳能（成都）有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角
代理机构 ：
昆明合众智信知识产权事务所
代理人 ：
刘静怡
优先权 ：
CN201921775177.3
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0224 H01L31/068
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
