一种新型隧穿钝化接触结构电池及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种新型隧穿钝化接触结构电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，n型单晶硅基底的正面自下而上依次设置有p型发射极、钝化层以及减反射层，减反射层上固设有正面电极，正面电极的下端向下延伸至p型发射极，其中，n型单晶硅基底的背面自上而下依次设置有层、n‑poly‑si层、TCO层以及固设于TCO层上的背面电极；其中，减反射层为n‑poly‑si层，n‑poly‑si层的厚度为20nm‑30nm，相较于现有的topcon电池而言，n‑poly‑si层最小仅需20nm就可以满足钝化接触，从而实现制备成本降低，同时，在厚度如此幅度的降低的前提下，大大减少了掺杂多晶硅层的寄生吸收带来的电流损失，进一步提高该电池的转换效率；本发明还公开了其制备方法，通过引入低温银浆工艺，规避了高温银浆带来的烧结扩散问题。
基本信息
专利标题 ：
一种新型隧穿钝化接触结构电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464686A
申请号 ：
CN202111622495.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴智涵王永谦林纲正陈刚
申请人 ：
浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号
代理机构 ：
杭州信与义专利代理有限公司
代理人 ：
马育妙
优先权 ：
CN202111622495.8
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/068 H01L31/18
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0216
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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