一种背接触式双面电池的制备方法
公开
摘要
本发明实施例提供了一种背接触式双面电池的制备方法，属于硅片电池制备技术领域，所述制备方法包括：Si衬底清洗、制绒；在清洗并制绒后的Si衬底的正反两面生成钝化层；在Si衬底反面的钝化层上生成第一掺杂层；在Si衬底反面的钝化层上生成第二掺杂层；在正面的钝化层外生成减反射层；在反面的第一掺杂层和第二掺杂层上形成电极；达到制备P型背接触式双面电池的技术效果。
基本信息
专利标题 ：
一种背接触式双面电池的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597288A
申请号 ：
CN202210328416.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹建伟
申请人 ：
浙江求是半导体设备有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210328416.0
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/068
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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