本发明公开了一种钝化接触电池的制备方法，包括如下步骤：1）选取硅片；2）制绒；3）制正面发射极；4）去除表面氧化物；5）制超薄氧化层；6）局部沉积重掺杂非晶硅；7）非晶硅退火；8）背面刻蚀和抛光；9）制背面掺杂层；10）去除表面氧化物；11）制正面和背面钝化层；12）制正面和背面金属电极。本发明通过激光转印在硅片正面直接局部沉积重掺杂非晶硅，进而实现钝化电池正面金属接触区域；本发明仅在金属接触区域沉积重掺杂非晶硅，可省去去除金属接触区域外掺杂非晶硅的步骤，也可省去在金属接触区域制备掩膜的步骤，进而可避免因采用掩膜腐蚀法而出现金属接触区域外非晶硅去除不干净以及金属接触区域外绒面被破坏的问题。