一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、...
公开
摘要
本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
基本信息
专利标题 ：
一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606478A
申请号 ：
CN202210066237.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄嘉斌赵增超李明周小荣陈俊刘湘祁谢湘洲
申请人 ：
湖南红太阳光电科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号
代理机构 ：
湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
何文红
优先权 ：
CN202210066237.4
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/02 C23C16/24 C23C16/505 C23C16/56 H01L31/02 H01L31/0216 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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