具有厚氧化硅和氮化硅钝化层的光电池及其制造方法
专利权的终止
摘要
揭示了一种生产光生伏打器件(例如太阳能电池)的方法，包括以下步骤：提供具有前主面和背面的基板；在所述背面上沉积电介质层，其中所述电介质层的厚度大于100纳米；在所述电介质层上沉积包含氢化SiN的钝化层；形成贯穿电介质层和钝化层的后触头。还揭示了一种生产光生伏打器件(例如太阳能电池)的方法，包括以下步骤：提供具有前主面和背面的基板；在所述背面上沉积电介质叠层，其中所述电介质叠层包括电介质层的亚叠层，所述亚叠层的厚度大于100纳米，所述电介质叠层的厚度大于200纳米；形成贯穿所述电介质叠层的后触头。还揭示了相应的光生伏打器件，例如太阳能电池器件。
基本信息
专利标题 ：
具有厚氧化硅和氮化硅钝化层的光电池及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142691A
申请号 ：
CN200680008429.9
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·阿格斯汀内里G·博卡恩P·乔拉特
申请人 ：
IMECVZW公司
申请人地址 ：
比利时勒芬
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
余颖
优先权 ：
CN200680008429.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0216 H01L31/0224 H01L31/02
法律状态
2022-02-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20120523
终止日期 : 20210316
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20120523
终止日期 : 20210316
2012-05-23 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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