光电池
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
采用本发明的光电池包含透明的基板，其基板上有透明的第一电极层，其第一电极上有P型的第一半导体层。第一半导体层的厚度约为25-300A并具有可生成空穴的0.3eV以下的激活能。该光电池还包在第一半导体层上的相同电导率型的第二半导体层，它的厚度约为100-1000A并有可生成空穴的0.3eV以上的激活能。该电池上还包含第二半导体层上的I型第三半导体层、第三半导体层上N型的第四半导体层和第四半导体层上的第二电极层。
基本信息
专利标题 ：
光电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103355A
申请号 ：
CN85103355.5
公开（公告）日 ：
1986-11-12
申请日 ：
1985-05-13
授权号 ：
CN1003150B
授权日 ：
1989-01-25
发明人 ：
深津猛夫武内胜后藤一幸
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
何光元
优先权 ：
CN85103355.5
主分类号 ：
H01L31/04
IPC分类号 ：
H01L31/04 H01L21/203
法律状态
2001-01-03 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-11-08 ：
授权
1989-01-25 ：
审定
1988-05-04 ：
实质审查请求
1986-11-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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