一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法

授权

摘要

本发明涉及半导体技术领域。一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si‑OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。

基本信息

专利标题：

一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110993485A

申请号：

CN201911181492.8

公开（公告）日：

2020-04-10

申请日：

2019-11-27

授权号：

CN110993485B

授权日：

2022-06-10

发明人：

王斌贺贤汉欧阳鹏孙泉马敬伟戴洪兴

申请人：

江苏富乐德半导体科技有限公司;上海申和热磁电子有限公司

申请人地址：

江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号

代理机构：

上海申浩律师事务所

代理人：

赵建敏

优先权：

CN201911181492.8

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/48

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2022-06-10 ：

授权

2022-01-21 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 21/02
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏富乐德半导体科技有限公司
变更后 : 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号
变更后 : 224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号

2020-11-27 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/02
登记生效日 : 20201117
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 江苏富乐德半导体科技有限公司
变更后权利人 : 江苏富乐德半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号
变更后权利人 : 224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 上海申和热磁电子有限公司

2020-05-05 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20191127

2020-04-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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