陶瓷总基板、陶瓷基板和陶瓷总基板的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在相邻陶瓷基板通过线性划痕被分开时，跨划痕形成的通孔和带有底面的孔也被分开。通过沿划痕分开这种陶瓷总基板，可能获得许多陶瓷基板，在这些陶瓷基板的端面中形成凹陷部分。与在陶瓷基板的周围形成废弃基板的分开情形相比，由一张陶瓷总基板分开的陶瓷基板的数量被增大。因此，降低各个陶瓷基板的单位成本是可能的。
基本信息
专利标题 ：
陶瓷总基板、陶瓷基板和陶瓷总基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101069276A
申请号 ：
CN200580041374.7
公开（公告）日 ：
2007-11-07
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
今村孝
申请人 ：
富士胶片株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张成新
优先权 ：
CN200580041374.7
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H05K3/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2008-09-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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