铜-陶瓷接合体、绝缘电路基板、铜-陶瓷接合体的制造方法及...
公开
摘要
一种铜‑陶瓷接合体，通过接合由铜或铜合金构成的铜部件(12)、由含氮陶瓷构成的陶瓷部件(11)而成，在铜部件(12)与陶瓷部件(11)的接合界面中，在Cu的母相中形成固溶有Mg的Mg固溶层，并且在陶瓷部件(11)侧形成活性金属氮化物层(41)，该活性金属氮化物层(41)含有选自Ti、Zr、Nb及Hf中的一种或两种以上的活性金属的氮化物，该活性金属氮化物层(41)的厚度在0.05μm以上且1.2μm以下的范围内。
基本信息
专利标题 ：
铜-陶瓷接合体、绝缘电路基板、铜-陶瓷接合体的制造方法及绝缘电路基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586146A
申请号 ：
CN202080072743.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
寺崎伸幸
申请人 ：
三菱综合材料株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
刁兴利
优先权 ：
CN202080072743.3
主分类号 ：
H01L23/14
IPC分类号 ：
H01L23/14 H01L23/15 H01L23/367 H01L21/48 C04B37/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/14
按其材料或它的电性能区分的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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