制造积层陶瓷基板的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种制造积层陶瓷基板的方法，该方法将多数个氧化铝陶瓷基板单元上、下堆栈在一起，并于该两陶瓷基板单元之间夹设一烧结时可以成长晶粒的氧化物介质层，再将此夹设有晶粒成长氧化物介质层的堆栈单位基板进行烧结，使上、下单位基板因烧结时氧化物介质层生成的晶粒，进入陶瓷基板单元的表面层晶粒的间的孔隙，而与氧化物介质层产生结合，成为结构紧密坚固的积层陶瓷基板。

基本信息

专利标题：

制造积层陶瓷基板的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101009975A

申请号：

CN200610001882.9

公开（公告）日：

2007-08-01

申请日：

2006-01-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

甘世维游捷光

申请人：

九豪精密陶瓷股份有限公司

申请人地址：

中国台湾桃园县平镇平东路一段160号

代理机构：

北京维澳专利代理有限公司

代理人：

胡湘根

优先权：

CN200610001882.9

主分类号：

H05K3/00

IPC分类号：

H05K3/00 H05K3/46 H05K3/38 H05K1/03