积层陶瓷电容器结构
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种积层陶瓷电容器结构,系包括介电质本体及复数端电极所组成,其中介电质本体为具有复数陶瓷层,并于各陶瓷层间设置有复数呈交错间隔堆栈的第一内电极及第二内电极,而可将介电质本体上二端斜对角位置处的端电极分别与第一、第二内电极形成电性连接后,再焊固于电路板上的金属接点形成电性导通,以此,便可在不更改、延长原先设计所需尺寸大小的基础上增加介电质本体斜对角位置处的二端电极的电极间距,以有效避免因间距不足导致瞬间电压通过产生电弧效应或是跳火所引发短路、危险事情等问题与缺失发生,藉此可符合安规距离的要求,进而也可相对延长使用寿命的效用者。

基本信息
专利标题 :
积层陶瓷电容器结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820128271.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-07-14
授权号 :
CN201247691Y
授权日 :
2009-05-27
发明人 :
唐锦荣叶辉邦陈瑞祥黄宜晨凌溢骏陈志荣
申请人 :
禾伸堂企业股份有限公司
申请人地址 :
台湾省台北市内湖区环山路二段62号1楼
代理机构 :
北京天平专利商标代理有限公司
代理人 :
赵海生
优先权 :
CN200820128271.5
主分类号 :
H01G4/005
IPC分类号 :
H01G4/005  H01G4/30  H01G4/12  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器;及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/005
电极
法律状态
2018-08-07 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01G 4/005
申请日 : 20080714
授权公告日 : 20090527
2009-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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