积层芯片结构改良
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种积层芯片,在陶瓷芯片本体的内埋入垂直排列的数层银制线圈,各银制线圈以薄片状上下层及柱状中间层串联圈绕形成,且该陶瓷芯片本体外端一体烧结有银电极,该银制线圈利用二端的银电极向外导通;由此,以往容易产生的寄生效应、杂散能量能运用垂直积层的银制线圈降低或排除,此外,本实用新型排列银制线圈的层数增加仅会增加占用水平方向的空间,不会造成电路板厚度加厚(不占用垂直方向的空间),而垂直积层排列银制线圈的方式更能降低杂散电容,故本实用新型的电感性能较佳。

基本信息
专利标题 :
积层芯片结构改良
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720154172.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-06-08
授权号 :
CN201112033Y
授权日 :
2008-09-10
发明人 :
黄其集
申请人 :
钰铠科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾台中市
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
周长兴
优先权 :
CN200720154172.X
主分类号 :
H01F17/00
IPC分类号 :
H01F17/00  H05K1/16  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F17/00
信号类型的固定电感器
法律状态
2017-07-25 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101736767058
IPC(主分类) : H01F 17/00
专利号 : ZL200720154172X
申请日 : 20070608
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 无
2008-09-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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