一种钝化接触结构的制备方法及应用方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种钝化接触结构的制备方法及应用方法；其制备方法包括：对硅衬底进行微结构形貌处理；制备隧穿氧化层；使用中间为空心的第一载板装载硅衬底，再采用PVD法以向上沉积方式在隧穿氧化层的表面沉积第一掺杂非晶硅层；再使用图案化镂空的第二载板装载并掩盖第一掺杂非晶硅层的局部表面，然后采用PVD法以向上沉积方式在第一掺杂非晶硅层的表面选择性沉积第二掺杂非晶硅层；再经高温处理后，在仅沉积第一掺杂非晶硅层的区域形成第一掺杂区，并在沉积第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的区域形成第二掺杂区；进而制得具有选择性厚度和掺杂浓度的多晶硅的钝化接触结构，且该制备方法能使钝化接触结构的制备更方便、更精准、更高效。
基本信息
专利标题 ：
一种钝化接触结构的制备方法及应用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335250A
申请号 ：
CN202111661840.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
全成陈嘉杜哲仁刘荣林薛登帅丁东王小磊
申请人 ：
泰州中来光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路
代理机构 ：
北京金之桥知识产权代理有限公司
代理人 ：
文智霞
优先权 ：
CN202111661840.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0224
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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