一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用
授权
摘要
本发明提供一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明采用掺杂的氮硅化物薄膜取代掺杂多晶硅薄膜，用于TOPCon结构，不仅可以保持TOPCon结构优异的表面钝化性能和接触性能，而且具有若干多晶硅薄膜所不具备的特殊优势。
基本信息
专利标题 ：
一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112186067A
申请号 ：
CN201910594529.3
公开（公告）日 ：
2021-01-05
申请日 ：
2019-07-03
授权号 ：
CN112186067B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
曾俞衡叶继春廖明墩闫宝杰杨清王志学郭雪琪芮哲
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
代理机构 ：
宁波甬致专利代理有限公司
代理人 ：
张鸿飞
优先权 ：
CN201910594529.3
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/068 H01L31/0216
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20190703
申请日 : 20190703
2021-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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