一种基于PERC的钝化接触电池的制备方法
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摘要
本发明涉及一种基于PERC的钝化接触电池的制备方法，包括(1)、在制绒后的晶体硅基体的单面沉积隧穿氧化层和多晶硅层；(2)、磷扩散，在前表面形成浅掺杂区域，多晶硅层变成掺杂多晶硅层；在背表面形成重掺杂区域；掺杂多晶硅层与重掺杂区域上均形成含磷氧化层；(3)、在前表面局部印刷耐酸浆料层；(4)、在局部印刷耐酸浆料层所在区域制备局部掺杂多晶硅层；(5)对基体双面进行沉积，形成前、背面钝化减反射薄膜；(6)、在背面钝化减反射薄膜上进行开膜；(7)、在局部掺杂多晶硅层所在区域和开膜所在区域进行印刷，并烧结，分别形成正表面金属电极和背表面金属电极。本发明制备工艺简单，稳定性可靠，适用于大规模量产。
基本信息
专利标题 ：
一种基于PERC的钝化接触电池的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111180555A
申请号 ：
CN202010143974.0
公开（公告）日 ：
2020-05-19
申请日 ：
2020-03-04
授权号 ：
CN111180555B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
陈嘉陈程马丽敏包杰吴伟梁刘志锋林建伟
申请人 ：
泰州中来光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路
代理机构 ：
北京金之桥知识产权代理有限公司
代理人 ：
李托弟
优先权 ：
CN202010143974.0
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/068
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-06-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20200304
申请日 : 20200304
2020-05-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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