N型晶硅电池的选择性硼掺杂方法及其应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种N型晶硅电池的选择性硼掺杂方法，包括如下步骤：对制绒后的N型硅片进行硼扩散，形成硼的浅掺杂，且硼扩面上形成BSG；然后按照金属电极图形，在硼扩面上印刷能与BSG反应的腐蚀浆料，形成覆浆区域；然后通过加热使腐蚀浆料与覆浆区域的BSG发生反应，将覆浆区域的BSG转变为硼硅化合物；然后对覆浆区域进行激光推进，使覆浆区域形成硼的重掺杂。本发明还提供一种N型晶硅电池的制备工艺，其应用上述的选择性硼掺杂方法。本发明利用腐蚀浆料与BSG发生反应，降低了硼源进入硅基底中所需的激光能量，保护硅片表面的金字塔绒面不受到激光破坏，形成高表面浓度深结的重掺杂区，达到选择性硼掺杂的目的。
基本信息
专利标题 ：
N型晶硅电池的选择性硼掺杂方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464700A
申请号 ：
CN202210046732.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汤佳丽史卓群潘琦杨立功
申请人 ：
常州时创能源股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210046732.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/225 H01L31/068 H01L31/0224
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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