栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池制造方法，N型单晶硅片经预清洗、去损伤、制绒后，先对单晶硅片表面制作掩膜，然后在栅线位置开窗，再以化学抛光液进行刻蚀抛光，使得开窗区域形成光滑凹槽，再对单晶硅片进行单面磷扩散，则在单晶硅片其一面的光滑凹槽上形成重掺杂N+区域，且以该一面为电池正面，最后对单晶硅片进行去磷硅玻璃和掩膜、沉积、印刷栅线，制得栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池。本发明形成的重掺杂N+区域，调节了光生电子在太阳能电池中的传输路径，选择性的增强栅线位置的钝化效果，又不影响金字塔绒面的减反射效果，降低了正面透明导电膜的导电要求，降低了对低温银浆的要求。
基本信息
专利标题 ：
栅线嵌入选择性重掺杂区域的异质结太阳能电池制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497288A
申请号 ：
CN202210092520.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李世宇黄惜惜刘海涛张中建王守志高荣刚黄国平
申请人 ：
中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请人地址 ：
江苏省镇江市新区北山路9号
代理机构 ：
北京创赋致远知识产权代理有限公司
代理人 ：
汤磊
优先权 ：
CN202210092520.4
主分类号 ：
H01L31/20
IPC分类号 ：
H01L31/20 H01L31/0747 H01L31/0224 H01L31/0216
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/20
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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