基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池，从上至下依次包括减反射薄膜、超薄金属薄膜、空穴选择性接触、单晶硅、电子选择性接触、背电极；所述的超薄金属薄膜为连续薄膜，厚度小于10 nm。空穴选择性接触、电子选择性接触分别可为两层或者为一层。本实用新型引入超薄金属薄膜，避免了传统电池中栅线电极对太阳光的遮挡效应，增加了光生载流子的收集效率，同时增强了对长波段太阳光的限制作用，可大幅提高电池的短路电流；该金属薄膜还可提高电池稳定性，增加其柔韧性；整个电池结构简单，设计灵活，工艺简单，无需额外掺杂工艺，无需定义电极图形结构，工艺温度可控制在100℃以内，成本低廉。
基本信息
专利标题 ：
基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921553841.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-18
授权号 ：
CN211350668U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
杨柳何赛灵
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林松海
优先权 ：
CN201921553841.X
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/0216 H01L31/074
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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