具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法
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摘要
本申请公开了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法。描述了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件和制造具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件的方法。例如，制造半导体结构的方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍片。在半导体衬底之上与多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层。在固态掺杂剂源层之上形成电介质层。使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在多个半导体鳍片的顶面之下的相同水平，由此暴露在多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的多个半导体鳍片的每一个的突出部分。该方法还包括：将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。
基本信息
专利标题 ：
具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109950318A
申请号 ：
CN201910304457.4
公开（公告）日 ：
2019-06-28
申请日 ：
2013-06-20
授权号 ：
CN109950318B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
T·甘尼S·拉蒂夫C·D·穆纳辛格
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
何焜
优先权 ：
CN201910304457.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/088 H01L21/8234 H01L21/336
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2019-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20130620
申请日 : 20130620
2019-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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