激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，所涉及的制作方法在激光重掺杂步骤之后增加了第二次扩散步骤，如此在太阳能电池的轻掺杂区，第一次扩散步骤中所形成的PSG可以阻止第二次扩散步骤中的磷再次往硅片内部扩散；而在太阳能电池的重掺杂区，由于激光重掺杂步骤会破坏第一次扩散步骤中所形成的PSG，第二次扩散步骤中的磷可以继续往硅片内部扩散，如此相对现有技术能够在重掺杂区形成掺杂浓度更高的重掺杂，以使重掺杂区具有更好的欧姆接触，提升太阳能电池的填充因子；同时第二次扩散步骤还可以修复激光重掺杂时对硅片表面的损伤，进而提高太阳能电池的开路电压。
基本信息
专利标题 ：
激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566554A
申请号 ：
CN202011358086.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王俊吴坚
申请人 ：
嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋启超
优先权 ：
CN202011358086.7
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/18
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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