一种选择性发射极及其制备方法
公开
摘要
本发明实施例公开了一种选择性发射极及其制备方法。制备方法包括提供一制绒后的硅片，在硅片一侧扩散磷源或硼源，形成轻掺区；在轻掺区一侧依次形成二氧化硅层和阻挡层，阻挡层包括开口结构；去除开口结构位置处的二氧化硅层；去除阻挡层；在二氧化硅层背离硅片一侧形成磷硅玻璃层或硼硅玻璃层；在第一温度下持续预设时间，将开口结构内的磷硅玻璃层中的磷或硼硅玻璃层中的硼经过开口结构推进硅片内，形成重掺区；去除磷硅玻璃层或硼硅玻璃层和二氧化硅层，在重掺区形成选择性发射极。本发明实施例不经过LDSE方式制备选择性发射极，可以有效降低重掺非接触区面积，而降低重掺非接触区对载流子复合的占比，提高晶硅电池的电性能。
基本信息
专利标题 ：
一种选择性发射极及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628535A
申请号 ：
CN202011457304.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张美荣吴坚蒋方丹
申请人 ：
嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202011457304.2
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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