一种硼硅玻璃浆料、选择性发射极及制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及C03C，更具体地，本发明涉及一种硼硅玻璃浆料、选择性发射极及制备方法和应用，包括：硼硅玻璃粉，本发明提供一种选择性发射极用硼硅玻璃浆料及其制备方法，通过纯度高的硼硅玻璃源进行局域高温扩散或激光扩散，形成良好性能的局域重掺杂层，并保持其它区域的浅结扩散，工艺简单实用。(2)本发明硼硅玻璃浆制备出的p+层接触，结合激光掺杂、单次扩散、丝网印刷等工艺，可以有效简化晶体硅重掺p+层的制备工艺，满足晶硅太阳电池的高产能、低能耗，降低生产成本。本发明提供的硼硅玻璃浆料可用于TOPCon电池选择性发射极(SE)的形成，提升太阳电池的开路电压，有效提高TOPCon电池光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种硼硅玻璃浆料、选择性发射极及制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388172A
申请号 ：
CN202111669049.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘家敬杨至灏黄良辉
申请人 ：
广东南海启明光大科技有限公司;佛山市瑞纳新材科技有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区平洲沙尾工业区西区南港大街(厂房)
代理机构 ：
上海微策知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吕姿颖
优先权 ：
CN202111669049.2
主分类号 ：
H01B1/24
IPC分类号 ：
H01B1/24 H01L31/0224 H01B13/00 C03C12/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B1/00
按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择
H01B1/20
分散在不导电的有机材料中的导电材料
H01B1/24
包含碳硅化合物、碳或硅的导电材料
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 1/24
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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