一种氢等离子体处理制备N型电池选择性发射极的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种氢等离子体处理制备N型电池选择性发射极的方法，涉及太阳能电池技术领域。方法包括以下步骤：N型硅片在硼扩散过程中实现重掺杂；采用氢等离子体处理，通过掩膜版的方式，让暴露在氢等离子体环境中的硅片表面活性硼离子与氢离子结合形成中性稳定的硼氢对，从而降低PN结中活性B原子的掺杂浓度，形成低掺杂区域；而掩膜版下未暴露区域不反应，为高掺杂区域，从而实现选择性掺杂。本发明方法无需激光设备，不会对发射极造成损伤；且通过掩膜版的方式，能够实现重掺杂区域的尺度可控，有望实现产业化。
基本信息
专利标题 ：
一种氢等离子体处理制备N型电池选择性发射极的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464707A
申请号 ：
CN202210167071.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘文峰周继承
申请人 ：
中南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张换君
优先权 ：
CN202210167071.5
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/223 H01L31/068
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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