本发明提供了一种低表面浓度发射极的制备方法。具体为对炉管内的硅片进行沉积处理，然后对硅片进行第一次升温推进处理；推进处理完成后分别利用链式HF溶液和混酸对硅片的掺杂表面进行清洗，然后对硅片进行第二次升温推进，最后对经过第二升温推进的硅片进行高温氧化处理并对硅片出管，得到制备有低表面浓度发射极的硅片。本实施例中的沉积和推进过程属于无限表面源，在硅片未进行高温氧化前，通过混酸处理提前去除掺杂面的BSG，通过再次升温推进继而氧化，使得再分布过程有限源的处理加强，得到更优的浓度分布曲线的低表面浓度的发射极，且在此处理过程中高温氧化无需过长时间，从而避免了长时间高温氧化对硅片体的寿命的不利影响。