一种异质结双极晶体管发射极结构和发射极的薄化方法

授权

摘要

本发明提供了一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，发射极层和发射极盖帽层之间还具有由上至下层叠设置的第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层；第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层对不同蚀刻液的选择蚀刻比不相同；薄化过程包括如下步骤：1)在发射极盖帽层上沉积发射极金属后，蚀刻发射极盖帽层；2)蚀刻第一蚀刻停止层，第二蚀刻停止层不受影响；3)蚀刻第二蚀刻停止层和发射极盖帽层，第一蚀刻停止层不受影响；4)蚀刻第一蚀刻停止层和发射极层，第二蚀刻停止层不受影响；5)在基电极层沉积基电极金属。从而在不需外加光刻胶或介电层(dielectric)材料做薄化刻蚀掩膜条件下,完成发射极薄化工艺。

基本信息

专利标题：

一种异质结双极晶体管发射极结构和发射极的薄化方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109817701A

申请号：

CN201811589623.1

公开（公告）日：

2019-05-28

申请日：

2018-12-25

授权号：

CN109817701B

授权日：

2022-05-10

发明人：

颜志泓魏鸿基

申请人：

泉州三安半导体科技有限公司

申请人地址：

福建省泉州市南安市石井镇院前村

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司

代理人：

杨依展

优先权：

CN201811589623.1

主分类号：

H01L29/08

IPC分类号：

H01L29/08 H01L21/331 H01L29/737