一种共发射极双IEGT并联压接结构
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摘要
一种共发射极双IEGT并联压接结构，包括第一散热器、第一压接式IEGT、第二散热器、第二压接式IEGT、第三散热器、集电极并联母排、双通道驱动器和安装壳；第一散热器、第一压接式IEGT、第二散热器、第二压接式IEGT、第三散热器、集电极并联母排和双通道驱动器设置在安装壳内。本实用新型全面考虑了并联功率元件的压接特性、驱动特性以及经济性等方面，很好的解决了并联功率元件发射极附近寄生电感感应电动势对驱动电路的干扰，从而实现了并联功率元件在开断过程中的均流，尤其在关断超大短路电路时优势尤为明显，从而获得了功率元件开断能力的累加效果。
基本信息
专利标题 ：
一种共发射极双IEGT并联压接结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020597790.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-21
授权号 ：
CN211555858U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
肖风良李伟宋中建谢文刚张志诚武可张公一
申请人 ：
山东泰开高压开关有限公司
申请人地址 ：
山东省泰安市高新技术开发区龙腾路中段
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020597790.7
主分类号 ：
H01L23/36
IPC分类号 ：
H01L23/36 H01L25/07 H01L29/739 H02M1/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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