一种IGBT压接结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种IGBT压接结构，包括：下压板，位于上盖板下端，所述下压板下端连接有限位块，所述下压板上端固定有螺纹柱；连接板柱，位于上盖板左右侧，所述连接板柱下端通过紧固螺丝与下盖板相固定，所述连接板柱之间设置有IGBT硅片；限位块，位于IGBT硅片下端，所述限位块侧面设置有散热口。本实用新型解决了现有的IGBT压接是通过焊接的方式进行连接，发生损坏时无法进行局部更换，只能压接固定数量的IGBT，实用性较低，影响压接的IGBT组正常工作的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT压接结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122602081.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
CN216563098U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
袁磊王凯锋
申请人 ：
合肥中恒微半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道与明珠大道交叉口106号5号楼2层C区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122602081.0
主分类号 ：
H01L23/32
IPC分类号 ：
H01L23/32 F16F15/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/32
用于支承处于工作中的完整器件的支座，即可拆卸的夹紧装置
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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