一种新型结构的双极型晶体管
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摘要
本实用新型公开了一种新型结构的双极型晶体管，涉及半导体技术领域，该双极型晶体管在氧化隔离内引入N型多晶硅的埋层，同时结合器件特性连接至相应电位，可以在不降低N‑外延层电阻率的前提下大幅降低器件的Vcesat，优化器件的性能；同时，在靠近集电极表面位置引入表面浮空的多晶硅场板，同时起到降低器件Vcesat的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种新型结构的双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921960386.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-13
授权号 ：
CN210443563U
授权日 ：
2020-05-01
发明人 ：
范捷万立宏王绍荣
申请人 ：
江苏丽隽功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市五湖大道11号蠡湖科创中心南楼1209室
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂启新
优先权 ：
CN201921960386.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/735
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法律状态
2020-05-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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