具有减小的寄生电容和短启动时间的半导体集成电路
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种由具有减小的寄生电容的电路元件构成并且具有短启动时间的半导体集成电路。在电路元件下方的半导体衬底表面的区域中形成与衬底具有不同导电类型的阱。通过电阻器向该阱施加将阱与半导体衬底之间的结反向偏置的固定电压，在向该元件施加的信号的频率下，该电阻器的阻抗高于阱与衬底之间的反向偏置的结的电容的阻抗。
基本信息
专利标题 ：
具有减小的寄生电容和短启动时间的半导体集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815738A
申请号 ：
CN200610004973.8
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
国友大裕二村智昭久野勇有吉龙司
申请人 ：
川崎微电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本千叶市
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林森
优先权 ：
CN200610004973.8
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2010-03-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-09 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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