一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法，包括如下步骤：首先确定栅氧加厚区域，即将从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内到硅区域与浅沟道隔离区域交界处定义为栅氧加厚区域(a)；然后修改相应的光刻板版图；再进行浅沟道隔离和阱离子注入，再在所述栅氧加厚区域(a)生长一层厚栅氧，再进行光刻并完全刻蚀掉晶体管中间部分的厚栅氧；最后生长栅氧的和淀积多晶硅栅。本发明通过加厚靠近浅沟道隔离区域的栅氧的方法来改善MOS场效应管中由反窄沟道效应引起的阈值电压(Vt)下降的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983528A
申请号 ：
CN200510111420.8
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伍宏陈晓波
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111420.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2014-02-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689522004
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101114208
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
号牌文件序号 : 101689522004
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101114208
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
2009-05-20 ：
授权
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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