一种横向场效应管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种横向场效应管及其制备方法，涉及半导体技术领域，横向场效应管在无源区内设置的栅极焊盘和源极焊盘分别由器件功能层的第一表面延伸至衬底表面，其中，栅极焊盘自身分别与器件功能层和衬底绝缘隔离，源极焊盘与衬底短接，如此，使得栅极焊盘通过与衬底短接的源极焊盘形成电容结构，能够增大栅极焊盘和源极焊盘之间形成的器件的栅源电容C，从而有效的缓解所产生的振荡，降低功率器件的损耗，避免横向场效应管的误开启。
基本信息
专利标题 ：
一种横向场效应管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335165A
申请号 ：
CN202111629255.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林育赐蔡文必刘成徐宁叶念慈
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
崔熠
优先权 ：
CN202111629255.0
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/423 H01L29/778 H01L29/78 H01L21/335 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/417
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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