一种氮化镓场效应管及其制备方法
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摘要
本发明公开一种氮化镓场效应管及其制备方法，所述氮化镓场效应管包括氮化镓衬底、漂移层、沟道层以及电极；漂移层设于氮化镓衬底的一侧；沟道层设于漂移层远离衬底的一侧，沟道层包括邻接漂移层设置的第一沟道层以及邻接第一沟道层设置的第二沟道层，沟道层内设有两个导电沟道，每一导电沟道同时贯穿第一沟道层和第二沟道层设置，且两个导电沟道呈交叉设置；电极包括源极、漏极和栅极，源极设于第二沟道层的外部且连接两个导电沟道，漏极设于衬底远离漂移层的一侧，栅极设于第二沟道层的外部且避让导电沟道设置；其中，漂移层与第一沟道层的邻接处形成有GaNAl/GaN异质结。本发明提高了氮化镓器件的电流密度，实现了器件阈值电压可调节。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓场效应管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113013243A
申请号 ：
CN202110145845.X
公开（公告）日 ：
2021-06-22
申请日 ：
2021-02-02
授权号 ：
CN113013243B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
贺威黄昊利健郑子阳杨嘉颖吴健华刘新科
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
舒丁
优先权 ：
CN202110145845.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20210202
申请日 : 20210202
2021-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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