氮化铝模板及其制备方法
公开
摘要
一种氮化铝模板及其制备方法，涉及半导体技术领域。该氮化铝模板的制备方法包括：提供一蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行刻蚀以在蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽，纳米凹槽的深度小于蓝宝石衬底的厚度；在刻蚀后的蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜，得到第一材料，氮化铝薄膜和蓝宝石衬底围合形成纳米孔洞；将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，且在退火处理后将第一材料降至室温并取出。该氮化铝模板由上述的氮化铝模板的制备方法制备得到。该氮化铝模板的制备方法能够降低氮化铝模板的压应变强度。
基本信息
专利标题 ：
氮化铝模板及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293252A
申请号 ：
CN202111638544.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何晨光吴华龙张康贺龙飞赵维陈志涛刘云洲廖乾光
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张金铭
优先权 ：
CN202111638544.7
主分类号 ：
C30B25/18
IPC分类号 ：
C30B25/18 C30B23/02 C30B29/40 C30B33/02 H01L33/00 H01L33/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/18
以衬底为特征的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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