本发明提供一种大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法，包括：步骤1)，提供一蓝宝石衬底，将蓝宝石衬底送进MOCVD反应腔，蓝宝石衬底的外延面取向为c面且向a面倾斜一偏角，偏角大于等于0.2°；步骤2)，在蓝宝石衬底上沉积低温缓冲层；步骤3)，在低温缓冲层上进行超晶格生长，超晶格为二维生长层与三维生长层交替生长堆叠而成；步骤4)，在超晶格上进行氮化镓模板层的生长。本发明可以在c面偏向a面0.2°以上的蓝宝石衬底上获得具有平整表面、晶体质量高的c面且偏向m面的氮化镓模板，使用该氮化镓模板可以获得c面且偏向m面的氮化镓单晶，进而获得性能良好的氮化镓基垂直结构功率器件。