氮化镓衬底、氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
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摘要
本公开提供了一种氮化镓衬底、氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。氮化镓衬底包括生长衬底、GaN成核层、GaN填平层和GaN外延层；生长衬底的第一表面具有凹坑，凹坑分布在第一表面的中心区域内，中心区域内凹坑的大小与生长衬底在凹坑处的缺陷大小正相关；GaN成核层、GaN填平层和GaN外延层依次层叠在生长衬底的第一表面上。本公开通过在生长衬底的第一表面的中心区域形成凹坑，中心区域内凹坑的大小与生长衬底在凹坑处的缺陷大小正相关，可以改善边缘区域GaN薄膜的生长温度高于中心区域而导致的GaN薄膜厚度和质量差异，提高GaN衬底的均匀性和一致性。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓衬底、氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112086545A
申请号 ：
CN202010863491.8
公开（公告）日 ：
2020-12-15
申请日 ：
2020-08-25
授权号 ：
CN112086545B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
王群郭炳磊葛永晖梅劲李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202010863491.8
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/20
申请日 : 20200825
申请日 : 20200825
2020-12-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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