一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法，在衬底上依次生长氮化铝薄膜缓冲层、非掺杂氮化镓层和非掺杂铝镓氮层；在非掺杂铝镓氮层上生长第一重掺杂N型氮化镓层，对第一重掺杂N型氮化镓层进行粗化和边缘处理，能够增加出光角度并且释放第一重掺杂N型氮化镓层中的应力；在第一重掺杂N型氮化镓层上生长二氧化硅层，对二氧化硅层进行图形化刻蚀并露出第一重掺杂N型氮化镓层的表面，能够利用二氧化硅层不导电的特性让载流子在从N到P的方向上移动；在第一重掺杂N型氮化镓层和二氧化硅层上生长第二重掺杂N型氮化镓层。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551660A
申请号 ：
CN202210148854.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
解向荣吴永胜刘恒山马野
申请人 ：
福建兆元光电有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区
代理机构 ：
福州市博深专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐燕玲
优先权 ：
CN202210148854.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/12 H01L33/14
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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