一种硅衬底的氮化镓芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅衬底的氮化镓芯片，包括氮化镓芯片本体，氮化镓芯片本体由氮化物半导体层、散热衬底和保护层组成，氮化物半导体层位于散热衬底和保护层之间，氮化物半导体层与保护层之间设置有欧姆电极和肖特基电极，散热衬底的内侧壁开设有凹槽，凹槽的内侧壁插接有热扩散层，通过散热衬底将热量进行传递，凹槽开设在距离氮化镓芯片本体距离为1微米处，能够针对温度最急剧上升的结合点加强散热，这样既能够将最急剧上升处的高温速率相对降低，通过热扩散层将热量加快扩散，进而起到散热的效果，通过散热衬底将氮化镓芯片本体进行包裹，能够加快氮化镓芯片本体的热量的扩散。
基本信息
专利标题 ：
一种硅衬底的氮化镓芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921170726.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN209880591U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
张江鹏路立峰唐兰香甘琨高建海
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
周大伟
优先权 ：
CN201921170726.4
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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