一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片
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摘要
本实用新型公开了一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片，包括有氮化铝陶瓷层，氮化铝陶瓷层的下表面设有P电极，氮化铝陶瓷层的上表面依次设有P‑DBR和N‑DBR，P‑DBR内设有若干穿孔，穿孔内设有绝缘层，氮化铝陶瓷层与P‑DBR之间设有P型金属接触层，氮化铝陶瓷层中设有若干P电极金属柱，P电极金属柱的上端连接P型金属接触层，下端连接P电极，P‑DBR和N‑DBR之间设有谐振腔层，N‑DBR的上表面设有隔离缓冲层，隔离缓冲层上设有N电极和若干出光孔。本实用新型公开了一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片，提升了VCSEL芯片的散热效果。避免了由芯片尺寸增加，衬底减薄导致的一系列问题。
基本信息
专利标题 ：
一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122511747.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
CN216563995U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
詹健龙徐春朝姜昆郭飞
申请人 ：
浙江焜腾红外科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
程开生
优先权 ：
CN202122511747.1
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/024 H01S5/02
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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