一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片
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摘要
本实用新型公开了一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片,包括有氮化铝陶瓷层,氮化铝陶瓷层的下表面设有P电极,氮化铝陶瓷层的上表面依次设有P‑DBR和N‑DBR,P‑DBR内设有若干穿孔,穿孔内设有绝缘层,氮化铝陶瓷层与P‑DBR之间设有P型金属接触层,氮化铝陶瓷层中设有若干P电极金属柱,P电极金属柱的上端连接P型金属接触层,下端连接P电极,P‑DBR和N‑DBR之间设有谐振腔层,N‑DBR的上表面设有隔离缓冲层,隔离缓冲层上设有N电极和若干出光孔。本实用新型公开了一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片,提升了VCSEL芯片的散热效果。避免了由芯片尺寸增加,衬底减薄导致的一系列问题。
基本信息
专利标题 :
一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122511747.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-10-18
授权号 :
CN216563995U
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
詹健龙徐春朝姜昆郭飞
申请人 :
浙江焜腾红外科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
程开生
优先权 :
CN202122511747.1
主分类号 :
H01S5/183
IPC分类号 :
H01S5/183 H01S5/024 H01S5/02
法律状态
2022-05-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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