硅(102)衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明涉及一种硅(102)衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜,包括一硅衬底、依次生长在其上的金属层、InGaAlN初始生长层和第一InGaAlN缓冲层,其特征在于:所述的硅衬底为采用(102)面或偏角的Si衬底。该硅衬底上生长的非极性(1120)A面氮化物薄膜可以应用于发光二极管、激光器、太阳能电池等领域。在其上依据不同的器件应用生长相应的器件外延结构,例如生长和制备的发光二极管和激光器,并进一步利用成熟的硅工艺,制备对应的双面电极器件或采用剥离工艺的器件。本发明可以有效提高非极性A面GaN基材料的生长质量,降低成本;并大幅简化现有器件工艺,降低成本,以及可以大幅度提高散热效率、发光效率。

基本信息
专利标题 :
硅(102)衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101009347A
申请号 :
CN200610011295.8
公开(公告)日 :
2007-08-01
申请日 :
2006-01-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈弘贾海强周均铭郭丽伟
申请人 :
中国科学院物理研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 :
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 :
高存秀
优先权 :
CN200610011295.8
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  H01L31/0248  H01L31/18  H01L21/3205  H01L21/20  H01S5/00  C23C16/44  
法律状态
2009-08-26 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-26 :
实质审查的生效
2007-08-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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